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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:MEIWAFOSIS多光譜橢圓儀

  • 產(chǎn)品型號:FS-4
  • 產(chǎn)品廠商:MEIWAFOSIS日本
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
LED光源和**技術,用于 高精度和簡單的橢偏儀分析
詳情介紹:

FS-4/FS-8采用多LED光源和**新型MWE技術

使用新的**多波長橢圓計 (MWE) 技術美國**號 9,354,118)和多波長 LED 光源可實現(xiàn)寬光譜橢偏儀分析。
此外,新發(fā)布的 FS-4 (G4) 和 FS-8 (G4) 分別在紅外和紫外區(qū)域增加了 LED,以在更寬的范圍內提供增強的薄膜測量。 光源單元的光路將多光譜LED光源集成到單個明亮均勻的光線中。
FS-4 / FS-8的主要功能和特點如下表所示。

主要特點 長處
多LED光源
(4或8個光源
,波長范圍為370~950nm)
使用壽命長(超過 50,000 小時),在儀器使用壽命期間
無需 LED 光源和相關軸校準
獲得**的 MWE 技術確保
檢測器中沒有移動部件
超越光譜橢圓的高重復精度,低至 10 毫秒的高速
測量,光譜橢圓無需
定期校準
重復精度高 厚度為0~2μm的單層透明膜
可測量,精度為0.0004nm
內置 PC,可通過 Web 瀏覽器進行控制 無需復雜的軟件設置或
維護

多達 8 個波長! 通過寬光譜范圍測量增強薄膜測量

新發(fā)布的 FS-4/FS-8 可在更多波長和更寬的光譜范圍內提供增強的薄膜測量。 新系統(tǒng)提供獲得**的多波長橢圓計 (MWE) 技術和長壽命 LED 光源、快速、可重復的探測器,無移動部件、緊湊的設計和 Web 瀏覽器界面,同時保持易用性和可負擔性。

名字 【新增】 FS-4(G4型) 【新增】 FS-8(G4型)
光譜范圍 450 ~ 660 納米 370 ~ 950 納米
波長范圍 4 8
長處 ?厚度為0~2μm的單層透明膜
可測量,精度為0.0004nm
?再現(xiàn)精度提高
2倍(與常規(guī)設備相比)
?可輕松進行原位測量
?緊湊型光源和探測器
光源:125×80×60mm
探測器:110×80×60mm
? 紫外波長 (370 nm) 提高了對
超薄膜和 10 nm 以下聚合物薄膜的測量靈敏度
? 三種長波長(735、850、950 nm)可用于
厚透明膜(*大 5 μm)和
半導體吸收膜(聚硅、硅鍺、AMO


Rufus-Si等)
波長圖
波長圖

埃納米薄膜薄膜厚度的高精度測量

從亞單層高精度測量納米薄膜的厚度,無損測量每層多層薄膜的厚度,

多光譜橢圓儀對薄膜非常敏感,由橢圓(Δ:delta)參數(shù)得出。
通過測量 Mr./Ms. 中反射的 p 偏振光和 s 偏振光之間的相位,即使要測量的光的波長 (500 nm) 與薄膜厚度(小于 0.1 nm)
相比非常長,也可以測量**的薄膜厚度定量到亞單層的厚度。

下表顯示了使用包含多層的各種 Mr./Ms. 拉力進行標準測量的準確度和精度。
得益于MWE技術,它在測量0?~1000nm范圍內薄膜的薄膜厚度和折射率方面表現(xiàn)出色。

多光譜橢圓儀精度表
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